casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2AHM3/5BT
codice articolo del costruttore | ES2AHM3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-ES2AHM3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2AHM3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2AHM3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2AHM3/5BT-FT |
VS-20MQ100NPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRA120TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA210HM3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43L-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2G-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2D-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2M-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ015-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel