casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SB20H150CT-1E3/45
codice articolo del costruttore | SB20H150CT-1E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-SB20H150CT-1E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB20H150CT-1E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB20H150CT-1E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SB20H150CT-1E3/45-FT |
VS-43CTQ100-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-47CTQ020-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-48CTQ060-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1535CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1545CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR20100CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR20100CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2035CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2045CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation