casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SB150-E3/73
codice articolo del costruttore | SB150-E3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-SB150-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB150-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB150-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SB150-E3/73-FT |
UH2D-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2DHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2DHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
USB260-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
USB260-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
USB260-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
USB260-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
USB260HE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel