casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SB007-03Q-TL-E
codice articolo del costruttore | SB007-03Q-TL-E |
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Numero di parte futuro | FT-SB007-03Q-TL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB007-03Q-TL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 70mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 70mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 15V |
Capacità @ Vr, F | 3pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-MCP |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB007-03Q-TL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SB007-03Q-TL-E-FT |
NRVB120ESFT1G
ON Semiconductor
MBR1H100SFT3G
ON Semiconductor
NHP220SFT3G
ON Semiconductor
NRVB120VLSFT1G
ON Semiconductor
MBR130LSFT1G
ON Semiconductor
MBR120VLSFT3G
ON Semiconductor
MBR140SFT1G
ON Semiconductor
MBR120VLSFT1G
ON Semiconductor
MBR140SFT3G
ON Semiconductor
NRVTS260ESFT1G
ON Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel