casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR140SFT1G
codice articolo del costruttore | MBR140SFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR140SFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR140SFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123F |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123L |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR140SFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR140SFT1G-FT |
NSR0530P2T5G
ON Semiconductor
NSR0140P2T5G
ON Semiconductor
NSR0620P2T5G
ON Semiconductor
NSR0130P2T5G
ON Semiconductor
NSR0230P2T5G
ON Semiconductor
NSR0240P2T5G
ON Semiconductor
NSR0340P2T5G
ON Semiconductor
BAS70SL
ON Semiconductor
NSR0170P2T5G
ON Semiconductor
NSVR0230P2T5G
ON Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel