casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1CHE3_A/H
codice articolo del costruttore | ES1CHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-ES1CHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1CHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1CHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1CHE3_A/H-FT |
BYG20G-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21K-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation