casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SA2K-E3/5AT
codice articolo del costruttore | SA2K-E3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-SA2K-E3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SA2K-E3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SA2K-E3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SA2K-E3/5AT-FT |
CS1K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1M-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2D-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2G-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2J-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel