casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CSA2G-E3/I
codice articolo del costruttore | CSA2G-E3/I |
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Numero di parte futuro | FT-CSA2G-E3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CSA2G-E3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.1µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSA2G-E3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSA2G-E3/I-FT |
BYG10K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel