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codice articolo del costruttore | S9S08SG4E2MTJR |
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Numero di parte futuro | FT-S9S08SG4E2MTJR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | S08 |
S9S08SG4E2MTJR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | S08 |
Dimensione del nucleo | 8-Bit |
Velocità | 40MHz |
Connettività | I²C, LINbus, SCI, SPI |
periferiche | LVD, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 16 |
Dimensione della memoria del programma | 4KB (4K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 256 x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 5.5V |
Convertitori di dati | A/D 12x10b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
20-TSSOP | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S9S08SG4E2MTJR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S9S08SG4E2MTJR-FT |
C8051F537-C-ITR
Silicon Labs
C8051F537A-ITR
Silicon Labs
C8051F530-IT
Silicon Labs
C8051F531-IT
Silicon Labs
C8051F533-IT
Silicon Labs
C8051F534-IT
Silicon Labs
C8051F536-IT
Silicon Labs
C8051F537-IT
Silicon Labs
LPC812M101FDH20FP
NXP USA Inc.
ML620Q136-NNNTDZ07GL
Rohm Semiconductor
EP1C6T144C6N
Intel
XC2V500-6FGG256C
Xilinx Inc.
P1AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N2F40C3N
Intel
EP4S100G5H40I1N
Intel
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.
XC7K480T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
A54SX32A-BGG329I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2FGG144I
Microsemi Corporation