codice articolo del costruttore | S85Y |
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Numero di parte futuro | FT-S85Y |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S85Y Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 85A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 85A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S85Y Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S85Y-FT |
S16M
GeneSiC Semiconductor
S16MR
GeneSiC Semiconductor
S16QR
GeneSiC Semiconductor
S25B
GeneSiC Semiconductor
S25BR
GeneSiC Semiconductor
S25D
GeneSiC Semiconductor
S25DR
GeneSiC Semiconductor
S25G
GeneSiC Semiconductor
S25GR
GeneSiC Semiconductor
S25J
GeneSiC Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel