codice articolo del costruttore | S25D |
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Numero di parte futuro | FT-S25D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S25D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S25D-FT |
MBR7540
GeneSiC Semiconductor
MBR7540R
GeneSiC Semiconductor
MBR7545
GeneSiC Semiconductor
MBR7545R
GeneSiC Semiconductor
MBR7560
GeneSiC Semiconductor
MBR7560R
GeneSiC Semiconductor
MBR7580
GeneSiC Semiconductor
MBR7580R
GeneSiC Semiconductor
MBR80100
GeneSiC Semiconductor
MBR80100R
GeneSiC Semiconductor
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel