casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S72XS256RE0AHBJ23
codice articolo del costruttore | S72XS256RE0AHBJ23 |
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Numero di parte futuro | FT-S72XS256RE0AHBJ23 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | XS-R |
S72XS256RE0AHBJ23 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH, DRAM |
Dimensione della memoria | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 133-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 133-FBGA (8x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72XS256RE0AHBJ23 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S72XS256RE0AHBJ23-FT |
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16P-5B AIT:M TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR
Micron Technology Inc.
S34MS04G204TFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGMFA000
Cypress Semiconductor Corp
SM668GE4-AC
Silicon Motion, Inc.
TC58CYG0S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CVG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
S29GL256N10FFI010
Cypress Semiconductor Corp
TH58NVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel