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Toshiba Memory America, Inc. TH58NVG2S3HBAI4

Numero parte MFG
TH58NVG2S3HBAI4
quantità disponibile
26520 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 5.096
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Memory America, Inc.
Breve descrizione
- 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
TH58NVG2S3HBAI4.pdf
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codice articolo del costruttore TH58NVG2S3HBAI4
Numero di parte futuro FT-TH58NVG2S3HBAI4
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TH58NVG2S3HBAI4 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 25ns
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 63-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore 63-BGA (9x11)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TH58NVG2S3HBAI4 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TH58NVG2S3HBAI4-FT

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