casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S70GL02GS11FHV023
codice articolo del costruttore | S70GL02GS11FHV023 |
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Numero di parte futuro | FT-S70GL02GS11FHV023 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S70GL02GS11FHV023 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (13x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S70GL02GS11FHV023 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S70GL02GS11FHV023-FT |
S29GL01GT12DHVV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10FHI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T11FHIV10
Cypress Semiconductor Corp
S70GL02GT11FHA010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FAI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FAI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHI023
Cypress Semiconductor Corp