casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S70GL02GS11FHSS60
codice articolo del costruttore | S70GL02GS11FHSS60 |
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Numero di parte futuro | FT-S70GL02GS11FHSS60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S70GL02GS11FHSS60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (13x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S70GL02GS11FHSS60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S70GL02GS11FHSS60-FT |
S29GL01GT12DHVV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10FHI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT12DHVV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10FHI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T11FHIV10
Cypress Semiconductor Corp
S70GL02GT11FHA010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FAI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FAI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHI013
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel