casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S5JHE3/9AT
codice articolo del costruttore | S5JHE3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-S5JHE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S5JHE3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S5JHE3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S5JHE3/9AT-FT |
ES3DHE3J_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3F-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3F-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division