casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3FHE3/57T
codice articolo del costruttore | ES3FHE3/57T |
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Numero di parte futuro | FT-ES3FHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES3FHE3/57T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3FHE3/57T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3FHE3/57T-FT |
S5KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5M-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5M-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5M-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MS-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MS-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MS-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MS-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL42-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel