casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S4PGHM3/86A
codice articolo del costruttore | S4PGHM3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-S4PGHM3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP® |
S4PGHM3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S4PGHM3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S4PGHM3/86A-FT |
V8PM12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH01-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH01HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH02-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH02HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6ESH01-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6ESH01HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel