casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S4PBHM3/86A
codice articolo del costruttore | S4PBHM3/86A |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S4PBHM3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP® |
S4PBHM3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S4PBHM3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S4PBHM3/86A-FT |
V8PM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PM10SHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PM12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PM12-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PM12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH01-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH01HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH02-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation