casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S4J R7G
codice articolo del costruttore | S4J R7G |
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Numero di parte futuro | FT-S4J R7G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S4J R7G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S4J R7G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S4J R7G-FT |
S1J-JR2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J-JR3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J-KR2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J-KR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JR2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JR3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-26R2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-26R2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-26R3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-26R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
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5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel