casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1M-26R2G
codice articolo del costruttore | S1M-26R2G |
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Numero di parte futuro | FT-S1M-26R2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1M-26R2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1M-26R2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1M-26R2G-FT |
S2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2JA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK210A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK210AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel