casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3D/7T
codice articolo del costruttore | ES3D/7T |
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Numero di parte futuro | FT-ES3D/7T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES3D/7T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3D/7T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3D/7T-FT |
S5J-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5K-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5K-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5K-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5M-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5M-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation