casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S3BHE3/9AT
codice articolo del costruttore | S3BHE3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-S3BHE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S3BHE3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3BHE3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S3BHE3/9AT-FT |
ES3AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3B/7T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3BHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3BHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3C-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation