casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3BHE3/9AT
codice articolo del costruttore | ES3BHE3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-ES3BHE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES3BHE3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3BHE3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3BHE3/9AT-FT |
S5B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5G-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel