casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34MS04G200BHI000
codice articolo del costruttore | S34MS04G200BHI000 |
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Numero di parte futuro | FT-S34MS04G200BHI000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-2 |
S34MS04G200BHI000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS04G200BHI000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34MS04G200BHI000-FT |
IS29GL256S-10DHB01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB01-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB010
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB02
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB02-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB020
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB023
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHV01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHV01-TR
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel