casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS29GL256S-10DHB02
codice articolo del costruttore | IS29GL256S-10DHB02 |
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Numero di parte futuro | FT-IS29GL256S-10DHB02 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
IS29GL256S-10DHB02 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Preliminary |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS29GL256S-10DHB02 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS29GL256S-10DHB02-FT |
S29GL512S11FHI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S12DHBV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S12DHIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S12DHIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S12FHIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10FAI010
Cypress Semiconductor Corp
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel