casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34MS02G104BHB013
codice articolo del costruttore | S34MS02G104BHB013 |
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Numero di parte futuro | FT-S34MS02G104BHB013 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, MS-1 |
S34MS02G104BHB013 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS02G104BHB013 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34MS02G104BHB013-FT |
S34MS04G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHA000
Cypress Semiconductor Corp
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation