casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34MS01G200BHB003
codice articolo del costruttore | S34MS01G200BHB003 |
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Numero di parte futuro | FT-S34MS01G200BHB003 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, MS-2 |
S34MS01G200BHB003 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS01G200BHB003 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34MS01G200BHB003-FT |
S34MS02G104BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS08G201BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G101BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G104BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G101BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI500
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel