casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34MS01G200BHB003
codice articolo del costruttore | S34MS01G200BHB003 |
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Numero di parte futuro | FT-S34MS01G200BHB003 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, MS-2 |
S34MS01G200BHB003 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS01G200BHB003 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34MS01G200BHB003-FT |
S34MS02G104BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G100BHI000
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S34MS08G201BHI000
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S34MS02G204BHI010
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S34ML08G101BHI000
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S34MS01G104BHI010
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S34ML02G200BHI000
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S34ML08G101BHB000
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S34ML01G200BHI500
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S34MS04G204BHI010
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