casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34MS01G100BHI000
codice articolo del costruttore | S34MS01G100BHI000 |
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Numero di parte futuro | FT-S34MS01G100BHI000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-1 |
S34MS01G100BHI000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS01G100BHI000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34MS01G100BHI000-FT |
IS29GL128S-10DHB01-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB010
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB02
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB02-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB020
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHB023
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHV01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHV01-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHV010
Cypress Semiconductor Corp
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel