casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34MS01G104BHB080
codice articolo del costruttore | S34MS01G104BHB080 |
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Numero di parte futuro | FT-S34MS01G104BHB080 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-1 |
S34MS01G104BHB080 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS01G104BHB080 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34MS01G104BHB080-FT |
S70GL02GP13FFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G104BHV010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G104BHV013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G104BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS08G201BHI000
Cypress Semiconductor Corp
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel