casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34MS01G104BHB080
codice articolo del costruttore | S34MS01G104BHB080 |
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Numero di parte futuro | FT-S34MS01G104BHB080 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-1 |
S34MS01G104BHB080 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS01G104BHB080 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34MS01G104BHB080-FT |
S70GL02GP13FFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G104BHV010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G104BHV013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G104BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS08G201BHI000
Cypress Semiconductor Corp
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel