casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS29GL128S-10DHV01-TR
codice articolo del costruttore | IS29GL128S-10DHV01-TR |
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Numero di parte futuro | FT-IS29GL128S-10DHV01-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
IS29GL128S-10DHV01-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Preliminary |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS29GL128S-10DHV01-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS29GL128S-10DHV01-TR-FT |
S29GL512S11DHV010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11DHV013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11DHV020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11DHV023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FAIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FAIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FAIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FAIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHB020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11FHB023
Cypress Semiconductor Corp
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel