casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S2M M4G
codice articolo del costruttore | S2M M4G |
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Numero di parte futuro | FT-S2M M4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S2M M4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2M M4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S2M M4G-FT |
ES2LGHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2LGHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2LJ M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2LJHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2LJHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3GBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3GBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3GHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3GHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel