casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S2B R5G
codice articolo del costruttore | S2B R5G |
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Numero di parte futuro | FT-S2B R5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S2B R5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2B R5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S2B R5G-FT |
SSL14HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1BHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel