casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512S10DHI010
codice articolo del costruttore | S29GL512S10DHI010 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512S10DHI010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S10DHI010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S10DHI010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512S10DHI010-FT |
S26KL512SDABHV023
Cypress Semiconductor Corp
S26KL512SDABHV030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDGBHB030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDPBHA023
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI043
Cypress Semiconductor Corp
S25FL132K0XNFB040
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI040
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFV040
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI041
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFA040
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel