casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512S10DHI010
codice articolo del costruttore | S29GL512S10DHI010 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512S10DHI010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S10DHI010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S10DHI010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512S10DHI010-FT |
S26KL512SDABHV023
Cypress Semiconductor Corp
S26KL512SDABHV030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDGBHB030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDPBHA023
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI043
Cypress Semiconductor Corp
S25FL132K0XNFB040
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI040
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFV040
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI041
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFA040
Cypress Semiconductor Corp