casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S26KL512SDABHV023
codice articolo del costruttore | S26KL512SDABHV023 |
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Numero di parte futuro | FT-S26KL512SDABHV023 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperFlash™ KL |
S26KL512SDABHV023 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 96ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-FBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KL512SDABHV023 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S26KL512SDABHV023-FT |
S27KS0641DPBHI020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL256SDABHV020
Cypress Semiconductor Corp
S27KL0641DABHI020
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDPBHB020
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDPBHI020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHA020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHB020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHB030
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHM030
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHN020
Cypress Semiconductor Corp
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel