casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL128S10WEI019
codice articolo del costruttore | S29GL128S10WEI019 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL128S10WEI019 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL128S10WEI019 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL128S10WEI019 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL128S10WEI019-FT |
S29GL256N10FFI010
Cypress Semiconductor Corp
TH58NVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
R1WV6416RBG-5SI#B0
Renesas Electronics America
NSEC00K008-IT
Insignis Technology Corporation
AT88SC0204CA-TH
Microchip Technology
NSEC00K004-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC00K016-IT
Insignis Technology Corporation
SM28VLT32SKGD3
Texas Instruments
NSEC53K008-IT
Insignis Technology Corporation
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation