casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S27KL0641DABHB030
codice articolo del costruttore | S27KL0641DABHB030 |
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Numero di parte futuro | FT-S27KL0641DABHB030 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL |
S27KL0641DABHB030 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 40ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-FBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S27KL0641DABHB030 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S27KL0641DABHB030-FT |
S25FL032P0XNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL032P0XNFV011M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL032P0XNFV013M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABBHA020
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABBHB023
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABBHB030
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFB003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFI001M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFI003M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFV000M
Cypress Semiconductor Corp
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel