casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S25FL064LABBHB030
codice articolo del costruttore | S25FL064LABBHB030 |
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Numero di parte futuro | FT-S25FL064LABBHB030 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, FL-L |
S25FL064LABBHB030 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O, QPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-BGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25FL064LABBHB030 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S25FL064LABBHB030-FT |
PF48F4000P0ZTQEJ
Micron Technology Inc.
PF48F4400P0VBQ2E
Micron Technology Inc.
PF48F4400P0VBQ2F TR
Micron Technology Inc.
PF48F4400P0VBQE0
Micron Technology Inc.
PF48F4400P0VBQE3
Micron Technology Inc.
PF48F4400P0VBQEA
Micron Technology Inc.
PF48F4400P0VBQEF
Micron Technology Inc.
PF48F4400P0VBQEJ
Micron Technology Inc.
PF48F4400P0VBQEK TR
Micron Technology Inc.
PF58F0033M0Y1BFA
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel