casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S27KL0641DABHI020
codice articolo del costruttore | S27KL0641DABHI020 |
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Numero di parte futuro | FT-S27KL0641DABHI020 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperRAM™ KL |
S27KL0641DABHI020 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 40ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-FBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S27KL0641DABHI020 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S27KL0641DABHI020-FT |
CY62177EV30LL-55BAXI
Cypress Semiconductor Corp
CY62177EV30LL-55BAXIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1041CV33-10BAJXET
Cypress Semiconductor Corp
FM22LD16-55-BG
Cypress Semiconductor Corp
CY62187EV30LL-55BAXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1041G30-10BAJXE
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1051DV33-10BAXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1071DV33-12BAXI
Cypress Semiconductor Corp
CY62177EV18LL-70BAXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1079DV33-12BAXI
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel