codice articolo del costruttore | S25JR |
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Numero di parte futuro | FT-S25JR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S25JR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25JR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S25JR-FT |
MBR7560R
GeneSiC Semiconductor
MBR7580
GeneSiC Semiconductor
MBR7580R
GeneSiC Semiconductor
MBR80100
GeneSiC Semiconductor
MBR80100R
GeneSiC Semiconductor
MBR8020
GeneSiC Semiconductor
MBR8020R
GeneSiC Semiconductor
MBR8030
GeneSiC Semiconductor
MBR8030R
GeneSiC Semiconductor
MBR8035
GeneSiC Semiconductor
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel