casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR7580
codice articolo del costruttore | MBR7580 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR7580 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR7580 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 75A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 75A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR7580 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR7580-FT |
FR70G05
GeneSiC Semiconductor
FR70GR05
GeneSiC Semiconductor
FR70J02
GeneSiC Semiconductor
FR70J05
GeneSiC Semiconductor
FR70JR02
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FR70JR05
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FR70K05
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FR70KR05
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FR70M05
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FR70MR05
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XC3042A-7PQ100C
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M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
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5SGXEA5K2F40C2N
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10AX027H3F34E2SG
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XCS10-4PC84C
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LFE2M50E-7FN900C
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LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
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EP2AGX95EF35C6ES
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