casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1N-13-F
codice articolo del costruttore | S1N-13-F |
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Numero di parte futuro | FT-S1N-13-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1N-13-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 6pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1N-13-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1N-13-F-FT |
SBR140LP-7
Diodes Incorporated
SBR1U40LP-7
Diodes Incorporated
SBRT2U15LP-7
Diodes Incorporated
SBR2U10LP-7
Diodes Incorporated
SBRT2M10LP-7
Diodes Incorporated
SBRT2U45LP-7
Diodes Incorporated
B1100-13-F
Diodes Incorporated
B350A-13-F
Diodes Incorporated
RS1A-13-F
Diodes Incorporated
RS1B-13-F
Diodes Incorporated
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel