casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SBRT2M10LP-7
codice articolo del costruttore | SBRT2M10LP-7 |
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Numero di parte futuro | FT-SBRT2M10LP-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchSBR |
SBRT2M10LP-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 10V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 400mV @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-UDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | X1-DFN1411-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBRT2M10LP-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBRT2M10LP-7-FT |
SDT12A120P5Q-13D
Diodes Incorporated
SDT12A120P5Q-7D
Diodes Incorporated
SDT8A120P5Q-13D
Diodes Incorporated
SDT8A120P5Q-7D
Diodes Incorporated
SBR2A150SP5-13
Diodes Incorporated
SBRT15U100SP5-13D
Diodes Incorporated
SBRT15U100SP5-7
Diodes Incorporated
SBRT15U100SP5-7D
Diodes Incorporated
SBRT20M60SP5-13D
Diodes Incorporated
SBRT20M80SP5-13
Diodes Incorporated
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel