codice articolo del costruttore | S1M |
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Numero di parte futuro | FT-S1M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMA (DO-214AC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1M-FT |
1N1184AR
GeneSiC Semiconductor
1N1184
GeneSiC Semiconductor
GB05MPS17-247
GeneSiC Semiconductor
GB10MPS17-247
GeneSiC Semiconductor
GC20MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
GC50MPS06-247
GeneSiC Semiconductor
GB25MPS17-247
GeneSiC Semiconductor
GC50MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
GB50MPS17-247
GeneSiC Semiconductor
GC15MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel