codice articolo del costruttore | 1N1184 |
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Numero di parte futuro | FT-1N1184 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N1184 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1184 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1184-FT |
GAP05SLT80-220
GeneSiC Semiconductor
FR85GR02
GeneSiC Semiconductor
FR85G02
GeneSiC Semiconductor
FR70GR02
GeneSiC Semiconductor
FR70G02
GeneSiC Semiconductor
FR40GR02
GeneSiC Semiconductor
FR40G02
GeneSiC Semiconductor
FR30GR02
GeneSiC Semiconductor
FR30G02
GeneSiC Semiconductor
FR16K05
GeneSiC Semiconductor
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation