casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1ML RQG
codice articolo del costruttore | S1ML RQG |
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Numero di parte futuro | FT-S1ML RQG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1ML RQG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1ML RQG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1ML RQG-FT |
SS310L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFAL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel