casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RSFJL R3G
codice articolo del costruttore | RSFJL R3G |
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Numero di parte futuro | FT-RSFJL R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSFJL R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSFJL R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSFJL R3G-FT |
SS12LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLS RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLSHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLS RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLSHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4148WS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel