casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1MB M4G
codice articolo del costruttore | S1MB M4G |
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Numero di parte futuro | FT-S1MB M4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1MB M4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1MB M4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1MB M4G-FT |
HS2K M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2M M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3A V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3BB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3DB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3F V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel