casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS2M M4G
codice articolo del costruttore | HS2M M4G |
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Numero di parte futuro | FT-HS2M M4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS2M M4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS2M M4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS2M M4G-FT |
SK35B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK515B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK515BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK52B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK52BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK53B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK54B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK54BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel