casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1KBHR5G
codice articolo del costruttore | S1KBHR5G |
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Numero di parte futuro | FT-S1KBHR5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S1KBHR5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1KBHR5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1KBHR5G-FT |
HS2J M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2K M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2M M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3A V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3BB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3DB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
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5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel